Kaufen ON Semiconductor NTMD4N03R2G MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC

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Datenblätter

NTMD4N03R2G

MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC

Artikelnummer

NTMD4N03R2G

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Leistung max

Gerätepaket des Lieferanten

8-SOIC

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

400pF @ 20V

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