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NTMD2P01R2G

NTMD2P01R2G

MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
Artikelnummer
NTMD2P01R2G
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leistung max
710mW
Gerätepaket des Lieferanten
8-SOIC
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
16V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
750pF @ 16V
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