ON Semiconductor
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NTJD2152PT1G
Datenblätter

NTJD2152PT1G

MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
Artikelnummer
NTJD2152PT1G
Hersteller/Marke
ON Semiconductor
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Digi-Reel®
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leistung max
270mW
Gerätepaket des Lieferanten
SC-88/SC70-6/SOT-363
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
8V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
775mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 570mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
225pF @ 8V
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