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NTHC5513T1G
MOSFET N/P-CH 20V 1206A
Artikelnummer
NTHC5513T1G
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SMD, Flat Lead
Leistung max
1.1W
Gerätepaket des Lieferanten
ChipFET™
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
2.9A, 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
180pF @ 10V
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