Kaufen ON Semiconductor NID9N05ACLT4G MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3

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Datenblätter

NID9N05ACLT4G

MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3

Artikelnummer

NID9N05ACLT4G

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

DPAK

Verlustleistung (max.)

1.74W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

52V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 9A, 12V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

250pF @ 40V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

3V, 12V

Vgs (Max)

±15V

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