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NDS335N

MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3

Artikelnummer

NDS335N

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

SuperSOT-3

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

240pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.7V, 4.5V

Vgs (Max)

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