Kaufen ON Semiconductor NDS0605 MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23

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Datenblätter

NDS0605

MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23

Artikelnummer

NDS0605

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-23

Verlustleistung (max.)

360mW (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

180mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

79pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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