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NDD60N360U1-1G
MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
Artikelnummer
NDD60N360U1-1G
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gerätepaket des Lieferanten
I-PAK
Verlustleistung (max.)
114W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
790pF @ 50V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±25V
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