Kaufen ON Semiconductor MUN5112DW1T1G TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

MUN5112DW1T1G

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Artikelnummer

MUN5112DW1T1G

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Leistung max

250mW

Gerätepaket des Lieferanten

SC-88/SC70-6/SOT-363

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (Max)

100mA

Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)

50V

Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom – Kollektorabschaltung (max.)

500nA

DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Häufigkeit – Übergang

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand – Emitterbasis (R2)

22 kOhms

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 12783 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

MUN5111DW1T1G

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363