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MTD3055V

MTD3055V

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Artikelnummer
MTD3055V
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
TO-252-3
Verlustleistung (max.)
3.9W (Ta), 48W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
500pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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