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HGTD3N60C3S9A

IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Artikelnummer

HGTD3N60C3S9A

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Eingabetyp

Standard

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Leistung max

33W

Gerätepaket des Lieferanten

TO-252AA

Reverse Recovery Time (trr)

Strom - Kollektor (Ic) (Max)

Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)

600V

IGBT-Typ

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 3A

Strom – Kollektor gepulst (Icm)

24A

Energie wechseln

85µJ (on), 245µJ (off)

Gate-Gebühr

10.8nC

Td (ein/aus) bei 25 °C

Testbedingung

480V, 3A, 82 Ohm, 15V

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