Kaufen ON Semiconductor H11F1W OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

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Datenblätter

H11F1W

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

Artikelnummer

H11F1W

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Eingabetyp

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

6-DIP (0.400", 10.16mm)

Ausgabetyp

MOSFET

Anzahl der Kanäle

Gerätepaket des Lieferanten

6-DIP

Strom – Ausgang/Kanal

Spannung – Isolation

5300Vrms

Anstiegs-/Abfallzeit (Typ)

Spannung – Ausgang (max.)

30V

Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V

Strom – DC-Vorwärtsstrom (falls) (max.)

60mA

Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.)

Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.)

Ein-/Ausschaltzeit (Typ)

25µs, 25µs (Max)

VCE-Sättigung (Max)

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