Kaufen ON Semiconductor H11B1M OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

H11B1M

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Artikelnummer

H11B1M

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Eingabetyp

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Ausgabetyp

Darlington with Base

Anzahl der Kanäle

Gerätepaket des Lieferanten

6-DIP

Strom – Ausgang/Kanal

150mA

Spannung – Isolation

4170Vrms

Anstiegs-/Abfallzeit (Typ)

Spannung – Ausgang (max.)

30V

Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom – DC-Vorwärtsstrom (falls) (max.)

80mA

Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.)

500% @ 1mA

Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.)

Ein-/Ausschaltzeit (Typ)

25µs, 18µs

VCE-Sättigung (Max)

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 12036 PCS

Kontaktinformationen