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FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
Artikelnummer
FQN1N50CTA
Hersteller/Marke
Serie
QFET®
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Gerätepaket des Lieferanten
TO-92-3
Verlustleistung (max.)
890mW (Ta), 2.08W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
380mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
195pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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