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Datenblätter

FQB10N50CFTM-WS

MOSFET N-CH 500V 10A DPAK

Artikelnummer

FQB10N50CFTM-WS

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

FRFET®, QFET™

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D²PAK (TO-263AB)

Verlustleistung (max.)

143W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

610 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2210pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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