ON Semiconductor
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FQA65N20
Datenblätter

FQA65N20

MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
Artikelnummer
FQA65N20
Hersteller/Marke
ON Semiconductor
Serie
QFET®
Teilestatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-3PN
Verlustleistung (max.)
310W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
7900pF @ 25V
Vgs (Max)
±30V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
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