Kaufen ON Semiconductor FJV4101RMTF TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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Datenblätter

FJV4101RMTF

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Artikelnummer

FJV4101RMTF

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Leistung max

200mW

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-23-3 (TO-236)

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (Max)

100mA

Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)

50V

Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom – Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce

20 @ 10mA, 5V

Häufigkeit – Übergang

200MHz

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand – Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

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