Kaufen ON Semiconductor FDY300NZ MOSFET N-CH 20V 600MA SC89

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Datenblätter

FDY300NZ

MOSFET N-CH 20V 600MA SC89

Artikelnummer

FDY300NZ

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-89, SOT-490

Gerätepaket des Lieferanten

SC-89-3

Verlustleistung (max.)

625mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

600mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

60pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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