Kaufen ON Semiconductor FDT439N MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223

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Datenblätter

FDT439N

MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223

Artikelnummer

FDT439N

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-261-4, TO-261AA

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-223-4

Verlustleistung (max.)

3W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

6.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 6.3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

500pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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