ON Semiconductor
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FDP030N06B-F102
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FDP030N06B-F102

MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
Artikelnummer
FDP030N06B-F102
Hersteller/Marke
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220-3
Verlustleistung (max.)
205W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
99nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
8030pF @ 30V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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