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FDMJ1027P

FDMJ1027P

MOSFET P-CH 20V 3.2A
Artikelnummer
FDMJ1027P
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
6-VDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten
6-MicroFET (2x2)
Verlustleistung (max.)
-
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
-
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
-
Vgs (Max)
-
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