ON Semiconductor
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FDC8602
Datenblätter

FDC8602

MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
Artikelnummer
FDC8602
Hersteller/Marke
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Leistung max
690mW
Gerätepaket des Lieferanten
SuperSOT™-6
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
1.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
70pF @ 50V
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