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FCPF099N65S3
MOSFET N-CH 650V 30A TO220F
Artikelnummer
FCPF099N65S3
Hersteller/Marke
Serie
SuperFET® III
Teilestatus
Active
Verpackung
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220F
Verlustleistung (max.)
43W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2310pF @ 400V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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