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EFC6612R-A-TF

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

Artikelnummer

EFC6612R-A-TF

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Betriebstemperatur

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-SMD, No Lead

Leistung max

2.5W

Gerätepaket des Lieferanten

6-CSP (1.77x3.54)

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain-Source-Spannung (Vdss)

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

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