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EFC6602R-TR

EFC6602R-TR

MOSFET 2N-CH EFCP
Artikelnummer
EFC6602R-TR
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
6-XFBGA, FCBGA
Leistung max
2W
Gerätepaket des Lieferanten
EFCP2718-6CE-020
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)
-
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
-
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