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ECH8668-TL-H

ECH8668-TL-H

MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A ECH8
Artikelnummer
ECH8668-TL-H
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SMD, Flat Lead
Leistung max
1.5W
Gerätepaket des Lieferanten
8-ECH
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
7.5A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1060pF @ 10V
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