Kaufen ON Semiconductor ECH8309-TL-H MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8

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Datenblätter

ECH8309-TL-H

MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8

Artikelnummer

ECH8309-TL-H

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SMD, Flat Lead

Gerätepaket des Lieferanten

8-ECH

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

9.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1780pF @ 6V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±10V

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