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ECH8601M-TL-H-P
MOSFET 2N-CH
Artikelnummer
ECH8601M-TL-H-P
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SMD, Flat Lead
Leistung max
-
Gerätepaket des Lieferanten
8-ECH
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)
24V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
-
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