Kaufen ON Semiconductor BVSS123LT1G MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

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Datenblätter

BVSS123LT1G

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Artikelnummer

BVSS123LT1G

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-23-3

Verlustleistung (max.)

225mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

170mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

20pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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