ON Semiconductor
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ATP101-TL-H
Datenblätter

ATP101-TL-H

MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK
Artikelnummer
ATP101-TL-H
Hersteller/Marke
ON Semiconductor
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
ATPAK (2 leads+tab)
Gerätepaket des Lieferanten
ATPAK
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
875pF @ 10V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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