Kaufen ON Semiconductor 5LN01C-TB-E MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

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Datenblätter

5LN01C-TB-E

MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

Artikelnummer

5LN01C-TB-E

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Last Time Buy

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

3-CP

Verlustleistung (max.)

250mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

50V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8 Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

1.57nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

6.6pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.5V, 4V

Vgs (Max)

±10V

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