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5HN01M-TL-E

MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3

Artikelnummer

5HN01M-TL-E

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-70, SOT-323

Gerätepaket des Lieferanten

3-MCP

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

50V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5 Ohm @ 50mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

6.2pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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