Kaufen NXP USA Inc. PSMN9R5-100XS,127 MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F

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PSMN9R5-100XS,127

MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F

Artikelnummer

PSMN9R5-100XS,127

Hersteller/Marke

NXP USA Inc.

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Gerätepaket des Lieferanten

TO-220F

Verlustleistung (max.)

52.6W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

44.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.6 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

81.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4454pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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