Kaufen NXP USA Inc. PSMN004-55W,127 MOSFET N-CH 55V 100A SOT429

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PSMN004-55W,127

MOSFET N-CH 55V 100A SOT429

Artikelnummer

PSMN004-55W,127

Hersteller/Marke

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-247-3

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

226nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

13000pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±15V

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