Kaufen NXP USA Inc. PMV30XN,215 MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23

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PMV30XN,215

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23

Artikelnummer

PMV30XN,215

Hersteller/Marke

NXP USA Inc.

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-236AB (SOT23)

Verlustleistung (max.)

380mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

420pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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