Kaufen NXP USA Inc. PMV30UN,215 MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23

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Datenblätter

PMV30UN,215

MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23

Artikelnummer

PMV30UN,215

Hersteller/Marke

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-236AB (SOT23)

Verlustleistung (max.)

1.9W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

5.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

700mV @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

460pF @ 20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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