Kaufen NXP USA Inc. PMT760EN,115 MOSFET N-CH 100V SC-73

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PMT760EN,115

MOSFET N-CH 100V SC-73

Artikelnummer

PMT760EN,115

Hersteller/Marke

NXP USA Inc.

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-261-4, TO-261AA

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-223

Verlustleistung (max.)

800mW (Ta), 6.2W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

900mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

950 mOhm @ 800mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

160pF @ 80V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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