Kaufen NXP USA Inc. PMG45UN,115 MOSFET N-CH 20V 3A SOT363

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PMG45UN,115

MOSFET N-CH 20V 3A SOT363

Artikelnummer

PMG45UN,115

Hersteller/Marke

NXP USA Inc.

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Gerätepaket des Lieferanten

6-TSSOP

Verlustleistung (max.)

375mW (Ta), 4.35W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

3.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

184pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

Vgs (Max)

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