Kaufen NXP USA Inc. PMF3800SN,115 MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323

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PMF3800SN,115

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323

Artikelnummer

PMF3800SN,115

Hersteller/Marke

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-70, SOT-323

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-323-3

Verlustleistung (max.)

560mW (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

260mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.3V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

0.85nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

40pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±15V

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