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PHM12NQ20T,518

MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON

Artikelnummer

PHM12NQ20T,518

Hersteller/Marke

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-VDFN Exposed Pad

Gerätepaket des Lieferanten

8-HVSON (6x5)

Verlustleistung (max.)

62.5W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

14.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1230pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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