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PHB108NQ03LT,118

MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK

Artikelnummer

PHB108NQ03LT,118

Hersteller/Marke

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D2PAK

Verlustleistung (max.)

187W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

75A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

16.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1375pF @ 12V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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