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SI2304DS,215

SI2304DS,215

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23
Artikelnummer
SI2304DS,215
Hersteller/Marke
Serie
TrenchMOS™
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-236AB (SOT23)
Verlustleistung (max.)
830mW (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
117 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
195pF @ 10V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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