Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
PSMN8R2-80YS,115

PSMN8R2-80YS,115

MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
Artikelnummer
PSMN8R2-80YS,115
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SC-100, SOT-669
Gerätepaket des Lieferanten
LFPAK56, Power-SO8
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
3640pF @ 40V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 44024 PCS
Kontaktinformationen
Schlüsselwörter von PSMN8R2-80YS,115
PSMN8R2-80YS,115 Elektronische Komponenten
PSMN8R2-80YS,115 Verkäufe
PSMN8R2-80YS,115 Anbieter
PSMN8R2-80YS,115 Verteiler
PSMN8R2-80YS,115 Datentabelle
PSMN8R2-80YS,115 Fotos
PSMN8R2-80YS,115 Preis
PSMN8R2-80YS,115 Angebot
PSMN8R2-80YS,115 Geringster Preis
PSMN8R2-80YS,115 Suchen
PSMN8R2-80YS,115 Einkauf
PSMN8R2-80YS,115 Chip