Kaufen Nexperia USA Inc. PSMN8R0-80YLX MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56

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PSMN8R0-80YLX

MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56

Artikelnummer

PSMN8R0-80YLX

Hersteller/Marke

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-100, SOT-669

Gerätepaket des Lieferanten

LFPAK56, Power-SO8

Verlustleistung (max.)

238W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

104nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

8167pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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