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PSMN6R0-25YLDX

PSMN6R0-25YLDX

PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Artikelnummer
PSMN6R0-25YLDX
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SC-100, SOT-669
Gerätepaket des Lieferanten
LFPAK56, Power-SO8
Verlustleistung (max.)
43W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
Schottky Diode (Body)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.75 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
705pF @ 12V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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