Kaufen Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100PSEQ MOSFET N-CH 100V TO220AB

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PSMN4R8-100PSEQ

MOSFET N-CH 100V TO220AB

Artikelnummer

PSMN4R8-100PSEQ

Hersteller/Marke

Nexperia USA Inc.

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-220AB

Verlustleistung (max.)

405W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

120A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

278nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

14400pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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