Kaufen Nexperia USA Inc. PSMN102-200Y,115 MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK

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Datenblätter

PSMN102-200Y,115

MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK

Artikelnummer

PSMN102-200Y,115

Hersteller/Marke

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-100, SOT-669

Gerätepaket des Lieferanten

LFPAK56, Power-SO8

Verlustleistung (max.)

113W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

21.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

102 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

30.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1568pF @ 30V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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