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PSMN012-60YS,115

PSMN012-60YS,115

MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK
Artikelnummer
PSMN012-60YS,115
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SC-100, SOT-669
Gerätepaket des Lieferanten
LFPAK56, Power-SO8
Verlustleistung (max.)
89W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.1 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1685pF @ 30V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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