Kaufen Nexperia USA Inc. PMV35EPER MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB

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PMV35EPER

MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB

Artikelnummer

PMV35EPER

Hersteller/Marke

Nexperia USA Inc.

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-236AB

Verlustleistung (max.)

480mW (Ta), 1.2W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

5.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

19.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

793pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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