Kaufen Nexperia USA Inc. PMPB20XNEAZ MOSFET N-CH 20V SOT1220

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Datenblätter

PMPB20XNEAZ

MOSFET N-CH 20V SOT1220

Artikelnummer

PMPB20XNEAZ

Hersteller/Marke

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-UDFN Exposed Pad

Gerätepaket des Lieferanten

DFN2020MD-6

Verlustleistung (max.)

460mW (Ta), 12.5W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

7.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

930pF @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 4.5V

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